3D NAND воспоминания: Китай начнет производство в 2017 году
Оглавление:
Компания Yangtze River Storage Technology (YRST) будет первой, кто выпустит новую память 3D NAND в Китае. Производство первых 3D-карт памяти NAND начнется в 2017 году, и они надеются выпустить этот тип 32-уровневой памяти.
Они сделают 300 000 3D-карт памяти NAND
3D NAND могут содержать несколько слоев памяти в одном и том же кремнии, поэтому SSD-накопители большей емкости могут быть получены в одном и том же пространстве. Такие компании, как Intel-Micron или A-DATA, уже имеют этот тип памяти на рынке. Это будет первый случай, когда китайский производитель начнет производить память NAND Flash и DRAM.
Общий объем инвестиций компании YRST составляет 24 000 млн. Долл. США для завершения завода, и уже запланировано расширение производственных мощностей в 2018 году и последний этап расширения в 2019 году. Это было достигнуто не только самим YRST, но и за счет инвестиции самого китайского правительства и альянс с ведущей полупроводниковой компанией XMC. Источники также указывают, что в сотрудничестве с Micron существует поддержка Tsinghua Unigroup, поэтому не мало кто вовлечен в этот бизнес.
Ожидается, что YRST сможет производить около 300 000 пластин в месяц, что позволит удовлетворить растущий спрос на память NAND, используемую в SSD и смартфонах. Эта новость важна, так как она поможет снизить стоимость такого типа единиц в среднесрочной перспективе. Еще один шаг, чтобы начать снимать жесткие диски, которые были с нами на протяжении десятилетий.
Tsmc начнет производство «сложенных» 3d чипов в 2021 году
TSMC продолжает смотреть в будущее, подтверждая, что компания начнет массовое производство следующих 3D-чипов в 2021 году.
Tsmc начнет массовое производство 5-нм чипсов в 2020 году
Скачок к 5-нм производственному процессу уже идет, и его массовое производство начнется с 2020 года.
Tsmc начнет производство 3 нм в 2022 году
TSMC планирует начать производство 5 нм в 2020 году, а массовое производство 3 нм ожидается в 2022 году.