Micron начинает производство 128-слойных 3d nand 'rg' модулей

Micron выпустила свои первые модули памяти NAND 3D четвертого поколения с новой архитектурой RG (замена ворот). Лента подтверждает, что компания собирается производить коммерческую память 3D NAND 4-го поколения в календаре 2020 года, но Микрон предупреждает, что память, используемая новой архитектурой, будет использоваться только для определенных приложений, и, следовательно, сокращения Стоимость 3D NAND в следующем году будет минимальной.

Micron уже производит 128-слойные модули 3D NAND с архитектурой RG

Четвертое поколение Micron 3D NAND использует до 128 активных слоев. Новый тип 3D NAND-памяти заменяет технологию плавающих затворов (которая используется Intel и Micron в течение многих лет) для технологии замены затворов в попытке уменьшить размер и стоимость массива при одновременном улучшении производительность и облегчение переходов на узлы следующего поколения. Эта технология была разработана исключительно компанией Micron без участия Intel, поэтому, вероятно, она будет адаптирована к приложениям, на которые Micron хочет ориентироваться больше (возможно, с высокими ASP, такими как мобильные, потребительские и т. Д.).

Посетите наше руководство по лучшей оперативной памяти на рынке

Micron не планирует переводить все свои продуктовые линейки на свою первоначальную технологию RG, поэтому в следующем году ее стоимость в расчете на одну компанию существенно не снизится. Тем не менее, компания обещает, что она увидит значительное сокращение расходов в 2021 финансовом году (начинается в конце сентября 2020 года) после того, как последующий узел RG будет широко развернут на всей производственной линии.

В настоящее время Micron наращивает производство 96-слойного 3D NAND, и в следующем году он будет использоваться в подавляющем большинстве своих производственных линий. Поэтому 128-слойный 3D NAND не окажет большого эффекта в течение как минимум 1 года. Мы будем держать вас в курсе.

Шрифт Anandtech