Микрон говорит о разрыве с Intel в отношении NAND

Микрон рассказал о причине разрыва с Intel в отношении сотрудничества в разработке памяти NAND. В январе прошлого года Intel и Micron объявили, что их союз в разработке памяти NAND подходит к концу, и обе компании планируют продолжать самостоятельно развивать свою технологию NAND.

Micron сделает ставку на технологию Charge-Trap для производства своих чипов NAND

Причина этого распада была неизвестна до сих пор, хотя все указывало на то, что Intel и Micron хотели развивать свою технологию NAND в разных направлениях. Micron и Intel используют технологию Floating Gate NAND - технологию, которую они продвигают как превосходящую модель Charge-Trap, используемую практически всеми другими производителями, такими как Samsung, SK Hynix, Western Digital и Toshiba. Заглядывая в будущее четвертого поколения, Micron планирует перейти на Charge-Trap, оставив Intel в качестве единственного сторонника технологии Floating Gate.

Мы рекомендуем прочитать наш пост о лучших SSD на данный момент SATA, M.2 NVMe и PCIe (2018)

До сих пор Микрон скептически относился к долговечности памяти NAND 3D Charg-Trap, полагая, что данные могут быть потеряны через шесть месяцев без питания. Таким образом, Micron не верил, что NAND, разработанный с Charge-Trap, пригоден для использования в качестве долговременного энергонезависимого носителя данных. В настоящее время большинство производителей используют Charge-Trap без каких-либо признаков потери данных, поэтому Micron решила использовать эту технологию, которую до сих пор отвергала.

Несмотря на это разделение, обе компании продолжают совместную работу по разработке памяти XPoint, планируя продолжить разработку технологии в качестве энергонезависимого носителя данных и в качестве альтернативы DRAM в некоторых приложениях.

Шрифт Overclock3d