Rambus рассказывает о характеристиках памяти ddr5

Несколько дней назад мы получили первые подробности о новой высокопроизводительной технологии стековой памяти HBM3, а теперь мы представляем вам подробную информацию о новой DDR5, которая появится в течение следующих нескольких лет для новых поколений процессоров.

DDR5 достигнет 4800 МГц при 1, 2 В

RAMBUS выпустил первые характеристики будущей памяти DDR5, которая уже находится на довольно продвинутой стадии своего развития, эти новые памяти поступят с базовой частотой около 4800 МГц, поэтому они будут хорошим приростом по сравнению с нынешней DDR4, Можно сказать, что самый медленный DDR5 будет примерно таким же быстрым, как и самый быстрый из DDR4.

С годами эти новые DDR5 получат преимущества, как это происходит со всеми поколениями, его потолок может быть близок к 6400 МГц, что означает максимальную пропускную способность 51, 2 ГБ / с. удвоить 25, 6 ГБ / с, достигнутые с помощью современной технологии DDR4.

Чтобы сделать все это возможным, было принято твердое обязательство по повышению энергоэффективности, DDR5 сможет достигать 4800 МГц при напряжении всего 1, 2 В, что является важным улучшением по сравнению с 1, 5 В, которое необходимо для нынешней DDR4. 4600 МГц. Наконец, мы подчеркиваем, что максимальная емкость каждого модуля возрастет до 128 ГБ, поэтому мы можем видеть конфигурации 512 ГБ, используя только четыре модуля.

Первые запоминающие устройства DDR5 поступят в течение 2019 года с производственным процессом на 10 нм, а затем перейдут к наиболее эффективным 7 нм.

Шрифт Techpowerup