Samsung объявляет о 3-нм технологическом процессе mbcfet, 5-нм появится в 2020 году

На рынке мобильных SoC TSMC быстро продвигается, когда речь заходит о внедрении новых узлов производственных процессов. Сегодня корейский технологический гигант Samsung объявил о планах по созданию различных технологических узлов. К ним относятся 5-нм FinFET и 3-нм вариант GAAFET, который Samsung зарегистрировал как MBCFET (Multi-Bridge-Channel-FET).

Samsung объявляет 3-нм процесс MBCFET

Сегодня на Samsung Foundry Forum в Санта-Кларе компания объявила о планах по производству полупроводников следующего поколения. Большой анонс для разработки 3-нм GAA от Samsung, названного компанией 3GAE. Компания Samsung подтвердила, что выпустила комплекты дизайна для узла в прошлом месяце.

Samsung сотрудничала с IBM для узлов процесса GAAFET (Gate-All-Around), но сегодня компания объявила о своей адаптации к предыдущему процессу. Это называется MBCFET, и, по словам компании, он позволяет повысить ток на одну батарею, заменив нанопровол Gate All Around на наноразмер. Замена увеличивает зону вождения и позволяет добавлять больше дверей без увеличения боковой площади. Очень технические данные, но с результатом, который должен значительно улучшить разработку FinFET.

Ожидается, что разработка продукта для 5-нм технологического процесса Samsung FinFET, который был разработан в апреле, будет завершена во второй половине этого года и запущена в серийное производство в первой половине 2020 года.

Во второй половине этого года Samsung планирует начать массовое производство 6-нм технологических устройств и завершить разработку 4-нм техпроцесса. Ожидается, что разработка продукта для 5-нм технологического процесса Samsung FinFET, который был разработан в апреле, будет завершена во второй половине этого года и запущена в серийное производство в первой половине 2020 года.

Wccftechguru3d Font