Samsung начинает массовое производство своего второго поколения 10nm finfet 10lpp

Samsung сегодня объявила о начале массового производства микросхем на основе своего 10-нм технологического процесса FinFET 10LPP второго поколения, тем самым достигнув нового уровня производительности и энергоэффективности.

Samsung уже имеет 10 нм FinFET 10LPP готов

Этот новый производственный процесс получил название 10 нм FinFET 10LPP (Low Power Plus) и характеризуется снижением энергопотребления на 15% по сравнению с его первой версией 10 нм FinFET, в то же время повышает производительность на 10%, поэтому мы имеем довольно значительное улучшение. Это приведет к появлению новых мобильных устройств с лучшей автономностью и более мощными для всех видов задач.

AMD будет использовать 12-нм процесс FinFET LP для Ryzen и Vega второго поколения

Первые SoC, изготовленные с использованием этого процесса на 10 нм FinFET 10LPP, появятся в начале 2018 года, хотя их доступность в начале будет весьма ограничена, как это обычно происходит во всех поколениях.

«Мы сможем лучше обслуживать наших клиентов, перейдя с 10LPE на 10LPP с лучшей производительностью и более высокой начальной производительностью», - сказал Райан Ли, вице-президент по литейному маркетингу в Samsung Electronics. «Samsung с ее многолетним опытом в стратегии 10-нм процесса будет продолжать развивать технологию от 10 нм до 8LPP, чтобы предлагать клиентам явные конкурентные преимущества для широкого спектра приложений».

Samsung также объявила, что ее новая производственная линия S3 в Корее должна начать выпускать 10-нм чипы и будущие литографии, такие как 7-нм FinFET с технологией EUV, которые будут массово производиться на последнем заводе.

Шрифт Techpowerup