Samsung уже массово производит второе поколение 10 нм памяти lpddr4x

Samsung Electronics, мировой лидер в области высокопроизводительных технологий памяти для всех типов электронных устройств, сегодня объявила о начале массового производства второго поколения 10-нм памяти LPDDR4X.

Samsung предлагает подробности о своих 10-нм памяти LPDDR4X второго поколения

Эти новые 10-нанометровые чипы памяти LPDDR4X от Samsung повысят энергоэффективность и сократят потребление энергии аккумуляторами смартфонов премиум-класса и других современных мобильных приложений. Samsung утверждает, что новые чипы обеспечивают снижение энергопотребления до 10% и поддерживают ту же скорость передачи данных 4, 266 Мбит / с, что и чипы первого поколения на скорости 10 нм. Все это позволит значительно улучшить решения для флагманских мобильных устройств следующего поколения, которые должны появиться на рынке в конце этого года или в первой половине 2019 года.

Мы рекомендуем прочитать наше сообщение о корпорации Toshiba Memory, которая анонсирует 96-слойные чипы NAND BiCS QLC

Samsung расширит свою производственную линию памяти DRAM премиум-класса более чем на 70 процентов, чтобы удовлетворить текущий высокий спрос, который, как ожидается, увеличится. Эта инициатива началась с массового производства первого DRM-сервера 8 ГБ и 10 нм в ноябре прошлого года и продолжилась с этим чипом 16 ГБ LPDDR4X для мобильных устройств всего восемь месяцев спустя.

Компания Samsung создала пакет DRD LPDDR4X объемом 8 ГБ, объединив четыре из 10-нм чипов DRD LPDDR4X 16 ГБ. Этот четырехканальный пакет может обеспечивать скорость передачи данных 34, 1 ГБ в секунду, а его толщина была уменьшена более чем на 20% по сравнению с пакетом первого поколения, что позволяет OEM-производителям создавать более тонкие и эффективные мобильные устройства.

Благодаря своим достижениям в области памяти LPDDR4X Samsung будет быстро расширять свою долю рынка мобильных DRAM, предоставляя различные продукты с высокой пропускной способностью.

Шрифт Techpowerup