Samsung уже имеет готовый производственный процесс на 8 нм

Samsung является одним из мировых лидеров по производству кремниевых чипов и не собирается бросать полотенце. Южнокорейский гигант уже готов новый процесс более совершенного производства для улучшения производительности своих чипов и технологий третьих сторон, которые прибегают к его литейное производство.

Samsung уже имеет 8 нм готов

Компания Samsung официально объявила, что ее новый процесс производства 8-нм LPP (Low Power Plus) готов к производству первых чипов, этот новый процесс предлагает повышение производительности до 10% по сравнению с текущим 10-нм процессом компании и уменьшение площади транзисторов до 10%.

Этот узел является улучшением существующего производственного узла Samsung 10 нм, что делает этот процесс фактически 10 нм +, но для маркетинга применяется изменение имени, поскольку мы помним, что когда речь заходит о стандарте, не существует Измерьте размер транзисторов, чтобы каждый литейный завод мог выразить это по-своему. Это означает, что производственные процессы двух компаний могут сильно отличаться, несмотря на то, что они, очевидно, одинаковы.

Генеральный директор NVIDIA говорит, что закон Мура мертв, а графические процессоры заменят процессоры

Преимущества этого нового узла процесса заключаются в том, что он основан на существующей технологии Samsung, что позволяет Samsung быстро ускорить производство 8 нм путем адаптации существующей технологии 10 нм. Samsung также смогла пройти квалификацию с этим новым узлом на три месяца раньше срока, что позволило компании производить 8-нм функциональные чипы с опережением графика.

8nm будет последним узлом Samsung перед его переходом на EUV (Extreme Ultra Violet) с его производственным узлом 7nm, открывающим новую эру для закона Мура, позволяющую производителям преодолеть некоторые из ограничений, которые были срыв прогресса в отрасли.

7LPP будет первой технологией производства полупроводников, которая будет использовать решение для литографии EUV. Совместными усилиями Samsung и ASML было разработано 250 Вт максимальной мощности EUV, что является наиболее важной вехой для внедрения EUV в производство большого объема. Развертывание EUV-литографии сломает барьеры масштаба закона Мура, проложив путь для поколений полупроводниковых технологий с одним нанометром.

Шрифт Overclock3d