Sk hynix объявляет о своей новой 8-гигабайтной памяти ddr4, созданной за 1 минуту

Гигант памяти SK Hynix объявил о разработке 8-гигабитной оперативной памяти DDR4 DRAM, что означает, что она может быть изготовлена ​​с использованием литографии 14 и 16 нм. Новый чип обеспечивает повышение производительности на 20% по сравнению со своим аналогом предыдущего поколения 1Xnm, а также более чем на 15% повышение энергопотребления.

Новый SK Hynix 1Ynm 8 Гб оперативной памяти DDR4

Новый DRAM SK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 поддерживает скорость передачи данных до 3200 Мбит / с, что, по словам компании, является самой быстрой скоростью обработки данных на интерфейсе DDR4. SK Hynix приняла схему «4-фазной синхронизации», которая дублирует тактовый сигнал для увеличения скорости и стабильности передачи данных.

Рекомендуем прочитать нашу статью о памяти RAM с радиатором или без радиатора.

SK Hynix также представила свою собственную разработанную технологию Sense Amp Control для снижения энергопотребления и ошибок данных. Благодаря этой технологии компании удалось улучшить характеристики сенсорного усилителя. SK Hynix улучшил структуру транзистора, чтобы уменьшить вероятность ошибок в данных, что сопутствует сокращению технологий. Компания также добавила маломощный источник питания в цепь, чтобы избежать ненужного потребления энергии.

По словам вице-президента SK Hynix Шона Кима, эта оперативная память DDR4 емкостью 1 и 8 Гб имеет оптимальную производительность и плотность для клиентов компании. SK Hynix планирует начать поставки с первого квартала следующего года, чтобы активно реагировать на рыночный спрос. SK Hynix планирует предложить свой технологический процесс 1Ynm для серверов и ПК, а затем для других приложений, таких как мобильные устройства.

Шрифт Guru3d