Великобритания iii-v памяти, памяти нет

Исследователи из Университета Ланкастера в Великобритании преуспели в своих усилиях по созданию энергонезависимой флэш-памяти, которая была бы такой же быстрой, как DRAM, но использует только 1% энергии, которая требуется современной памяти NAND или DRAM. записывать биты данных. Память называется UK III-V Memory.

Память UK III-V, энергонезависимая память, такая же быстрая, как DRAM, потребляющая в 100 раз меньше

Требуемое энергопотребление составляет приблизительно 10 от мощности -17 Дж для двери, построенной в процессе 20-нм литографии. Транзисторы памяти III-V в Великобритании обычно находятся в отключенном состоянии, а зарядка затвора займет около 5 нс, а разрядка - 3 нс, причем обе цифры весьма респектабельны. Эти цифры, вероятно, будут несколько выше после добавления контроллера, но это будет стоить компенсации за достигнутую эффективность.

Разработка все еще находится на стадии простого транзистора, поэтому до ее преобразования в полноценный коммерческий продукт еще далеко. Тем не менее, достижение построения энергонезависимой памяти, которая является эффективной и достаточно быстрой, чтобы конкурировать с DRAM, является вполне достижением.

Интересно иметь энергонезависимую память так же быстро, как DRAM, потому что ее можно использовать для создания ПК, которые могут хранить данные, которые мы в настоящее время храним в ОЗУ, когда система полностью выключена, и поэтому могут быть возобновлены в одно мгновение с того места, где они были оставлены. из состояния полного отключения. Это устранит необходимость в спящих состояниях, а также позволит системам отключать ОЗУ во время простоя, еще больше уменьшая потребление энергии.

Посетите наше руководство по лучшей оперативной памяти на рынке

Возникает вопрос: может ли память UK III-V выдерживать повторные перезаписи, которые обычно претерпевает DRAM? Если износ - это проблема, это может разрушить любую мечту о компьютере с энергонезависимой оперативной памятью.

Шрифт Tomshardware